trench mosfet что такое

Применение мощных полевых МОП-транзисторов с двойным N-каналом в синхронных преобразователях постоянного тока

Рис. 1. Trench-структура

В общих чертах напомним, что MOSFET позволяет с помощью низкого напряжения на затворе управлять током, протекающим по каналу «исток–сток». Благодаря этому свойству можно значительно упростить схему управления, а также снизить суммарную, затрачиваемую на управление мощность. В последнее время широкое распространение получили две технологии производства MOSFET: планарная и Trench.

Первые MOSFET были созданы по планарной технологии. Их структура состоит из металла и полупроводника, разделенных слоем оксида кремния (SiO₂).

Trench-структура (рис. 1) имеет более высокую плотность ячеек, что выражается в более низком значении сопротивления открытого канала R_ds(on). В Trench MOSFET на поверхности подложки создается V-образная канавка, на которую осаждается слой оксида, и затем происходит металлизация. Поле затвора в Trench MOSFET оказывает влияние на гораздо бóльшую область кремния. В результате этого для получения аналогичного R_ds(on) требуются меньшие физические размеры, чем при изготовлении MOSFET по планарной технологии.

Полевые транзисторы Trench2 (таблица 1) хорошо подходят для приложений с синхронными DC/DC-преобразователями высокой мощности, которые используются в различных системах, являются надежными и обеспечивают высокие показатели устойчивости при работе с лавинными процессами.

Таблица 1. Несколько примеров IXYS TrenchT2 N-канальных, мощных МОП-транзисторов

Наименование

V_{DSS (max)}, В

C_ISS, пФ

E_AS, мДж

Корпус

Синхронные DC/DC-преобразователи

На рис. 2 показан синхронный понижающий преобразователь, где Q1 называется верхним плечом, или контроль FET, и Q2 называется нижним плечом, или синхронизация FET, и применяется в понижающих синхронных преобразователях постоянного тока. Соотношение V_o/V_in контролирует рабочий цикл Q1.

Рис. 2. Синхронный понижающий преобразователь с использованием IXYS TrenchT2TM Power MOSFET

Рис. 3. Диаграмма состояний переключателей

Для повышения эффективности желательно, чтобы Q2 был открыт, когда Q1 закрыт. Упрощенная схема положений переключателя показана на рис. 3. Он показывает последовательность переключений A–B–C–B–A, где область В называется «мертвое время», когда Q1 и Q2 закрыты, а диод Шоттки D1 открыт, что обеспечивает свободный ход в индуктивной цепи. Для повышения эффективности схемы желательно сократить «мертвое время» до минимума. Однако если «мертвое время» ниже, чем время открытия или закрытия транзисторов, схема может перейти в состояние D, когда Q1 и Q2 закрыты, что станет причиной короткого замыкания в источнике входного напряжения V_in. Состояние D нежелательно, поскольку выводит из строя транзисторы Q1 и Q2. Значения величин на рис. 4 можно рассчитать по следующим формулам:

Лучшим решением считается выходное напряжение постоянного тока с низкими пульсациями. Пульсации тока DI_L1(t), которые заряжают и разряжают выходной конденсатор C1, как показано на рис. 5, обратно пропорциональны индуктивности L₁. Конденсатор заряжается в период, когда I_L1(t) больше I_o. Пульсации выходного напряжения компонентов можно рассчитать, поделив заряд (DQ), который течет в C1 в это время, на значение емкости С1.

Рис. 4. Идеальная схема сигналов (без «мертвого времени»)

Пульсации тока и напряжения на выходе дросселя

Напряжение индуктивности может быть определено как:

Заряд DQ можно определить, вычислив площадь треугольника с высотой DI_L1(t)/2 и шириной T_s/2, как показано на рис. 5.

Рис. 5. Идеальный синхронный понижающий преобразователь тока катушки индуктивности

где f_C = 1/2p√L₁C₁ — выходной фильтр нижних частот (ФНЧ) резонансной частоты, f_S — частота переключения. Значение индуктивности L1 и эффективное последовательное сопротивление (ESR) выходного конденсатора C1 влияют на выходные пульсации напряжения DV_L. Рекомендуются конденсаторы с максимально низким возможным ESR. Например, конденсаторы на 4,7–10 мкФ в технологии X5R/X7R есть с ESR около 10 мОм.

Формулы для проектирования

Пульсации напряжения/тока, индуктивностей и емкостей

Пульсации выходного напряжения:

Выходная частота среза входного фильтра:

Расчет потерь мощности в синхронном преобразователей

Потери в синхронном преобразователе могут быть рассчитаны по формуле:

где: P_C — потери проводимости; P_SW — потери при переключении; P_Gate — потери на управление затвором; P_BD — потери на диоде.

Кроме того, эквивалентное последовательное сопротивление индуктивности и выходного конденсатора играет важную роль при проектировании преобразователя.

Расчет потерь мощности на МОП-транзисторах Q1 и Q2

Потери проводимости (заменим D на 1–D для синхронизации FET, Q2):

Потери заряда затвора:

Коммутационные потери показаны на рис. 6.

Рис. 6. Формы сигналов MOSFET для индуктивной нагрузки

Потери во внутреннем диоде являются функцией «мертвого времени» в каждом цикле переключения. Есть два промежутка «мертвого времени» — t_d1 и t_d2. «Мертвое время» определяется как необходимое, чтобы предотвратить бросок по питанию в результате сквозного тока, когда оба транзистора Q1 и Q2 закрыты.

Мы можем написать так:

где P_td1 — потери в теле диода в течение мертвого времени t_d1, а P_td2 — потери в теле диода в течение мертвого времени t_d2.

Расчет потерь в драйвере

Рассеиваемая мощность в драйвере определяется формулой:

где Q_G(onl) — полный заряд затвора МОП-транзистора, а V_DD — напряжение управления драйвером.

Напряжение на затворе:

Если внешний диод Шоттки (D1) используется в Q2, емкость Шоттки необходимо зарядить в течение включения Q1. Потери мощности для зарядки емкости Шоттки определяются из формулы:

Рассмотрим это более подробно на примере.

Предположим, конструктивные параметры V_IN = 12 В, V_o = 3,3 В и I_o = 12 A.

Пример конструктивных параметров для синхронных понижающих преобразователей: входное напряжение V_in = 12 В; выходное напряжение V_o = 3,3 В; выходной ток I_o = 12 А.

Предположим, что выходное напряжение пульсаций находится в пределах ±1% V_o для V_o = 3,3 В. Выходные пульсации ограничены в пределах DVL(t) ≤0,033 В. Если выходной конденсатор C1 имеет емкость 10 мкФ, то значения катушки индуктивности L1 в диапазоне частот коммутации 100–500 кГц могут быть такими, которые приведены в таблице 2 на основе уравнений 3–7.

Таблица 2. Значения L₁ при C₁ = 10 мкФ

L₁, мкГн

В примере будем использовать драйвер контроллера ISL6594D от Intersil (табл. 3).

Таблица 3. Характеристики контроллера ISL6594D

Верхнее плечо

Время нарастания, нс

Источник тока, А

Требуемый Q_g(on), нс

Нижнее плечо

Время нарастания, нс

Источник тока, А

Требуемый Q_g(on), нс

Рекомендуемые устройства для данного применения и их параметры приведены в таблице 4.

Таблица 4. Рекомендуемые для ISL6594D устройства и их параемтры

IXTA90N055T2

IXTA110N055T2

Анализ, основанный на IXTA90N055T2:

«Точка напряжения» определяется по формуле:

Потери в верхнем плече (Q1 = IXTA90N055T2)

Потери на заряде затвора (предположим f_s = 200 кГц):

Потери при переключении:

Всего: 332+84+921 = 1337 мВт = 1,337 Вт.

Потери на драйвере ISL6594D

Согласно технической документации, для драйвера ISL6594D V_DD = 5 В. Значения параметров драйвера выходного каскада IXS839 приведены в таблице 5.

Таблица 5. Параметры драйвера выходного каскада IXS839

Подтягивающий к питанию резистор

Подтягивающий к земле резистор

Сопротивление затвора драйвера

Рассеиваемая мощность в драйвере ISL6594D рассчитывается по формуле:

где V_DD = 10 В и f_S = 200 кГц (предположим для этого случая).

Предполагаемая мощность, рассеиваемая на драйвере:

Потери питания при «мертвом времени»

В период «мертвого времени» диод Шоттки (или интегральный прямосмещенный диод при условии потери мощности) определяется драйвером IXS839 и обеспечивает следующее время задержки:

Потери при «мертвом времени» определяются из уравнений 11–13:

Расчет эффективности синхронного преобразователя

Если пренебречь потерями мощности в катушке индуктивности постоянного тока и ESR конденсатора, то общие расчетные потери мощности будут следующими:

P_loss = 1337+1007+84+505 = 2933 мВт = 2,933 Вт.

С учетом выходной мощности:

Эффективность определяется из формулы:

h = 39,6 / 42,6 = 0,93 = 93%.

Приблизительный входной ток

Если предположить, что может быть получено только 93% эффективности предполагаемого тока, то расчетный ток составит:

Выбор компонентов схемы

Выбор компонентов схемы делается с учетом электрических рейтингов и характеристик высокого плеча МОП-транзистора (Q1).

Емкость определяется из технической документации на драйвер IXS839:

где Q_G(total) — полный заряд затвора высокого плеча транзистора Q1, а DV_BST — допустимый спад напряжения в Q1. Предположим, что он равен 0,1 В:

Диод загрузки и конденсатор номинального напряжения:

Средний прямой ток определяется по формуле:

Подводя итог, можно сказать, что применение транзисторов серий TrenchT2 IXYS имеет следующие плюсы:

В данной статье представлены только предложения по выборочным транзисторам группы TrenchT2 MOSFET компании IXYS. Это, конечно же, не означает, что вся номенклатура производимых силовых МОП-транзисторов ограничена только ими. Компания IXYS производит широчайшую номенклатуру силовых транзисторов для различных областей применения. Сюда входят и MOSFET с обедненным затвором (Depletion Mode, нормально включенные), и высоковольтные MOSFET, и другие, рассчитанные на различные рабочие напряжения (40–4000 В) и рабочие токи (1–600 А). Это предоставляет возможность очень точно подобрать нужный транзистор для конкретного применения. Кроме того, компания IXYS производит транзисторы в стандартных корпусах, что позволяет легко заменять на них MOSFET других производителей.

В завершение можно сказать, что применение MOSFET компании IXYS позволяет в результате:

Для разработчиков, собирающихся применить MOSFET компании IXYS впервые или просто желающих попробовать их в новом проекте или в качестве замены, компания СЭА предлагает образцы для тестирования.

Источник

Trench mosfet что такое

Рождение твердотельной электроники можно отнести к 1833 году. Именно тогда Майкл Фарадей экспериментируя с сульфидом серебра, обнаружил, что проводимость данного вещества растет с повышением температуры, в противоположность проводимости металлов, которая в этом случае уменьшается. Это явление Фарадей не смог объяснить.

Следующим этапом в развитии твердотельной электроники стал 1874 год, когда немецкий физик Фердинанд Браун опубликовал свою статью в одном из журналов, где он описал важнейшее свойство полупроводников (на примере серных металлов) – возможность проводить ток только в одном направлении. Браун тщетно пытается объяснить, противоречащее закону Ома, выпрямляющее свойство контакта полупроводника с металлом, проводя все новые и новые исследования. Браун не сумел объяснить такое свойство полупроводников и его современники не уделили должного внимания этому явлению.

Появление транзистора в XX веке стало переворотным моментом в развитии электроники. Это изобретение связано со многими именами великих ученых.

В 1906 году американский инженер Гринлиф Виттер Пикард получил патент на кристаллический детектор. Такой детектор представлял собой тонкий металлический проводник, с помощью которого осуществлялся контакт с поверхностью металла. Появление множества конструкций такого детектора, не принесло желаемых результатов, а появление в это время электронных ламп сводит на нет все усилия создать полупроводниковое устройство отвечающее требованиям того времени.

Первые патенты на принцип работы полевых транзисторов были зарегистрированы в Германии в 1928 году на имя Юлия Эдгара Лилиенфельда. Немецкий физик Оскар Хейл в 1934 году запатентовал полевой транзистор.

Полевые транзисторы основаны на простом электростатическом эффекте поля, по физическим процессам они проще биполярных транзисторов, и поэтому они придуманы и запатентованы, задолго до биполярных транзисторов. Тем не менее, первый МОП-транзистор, составляющий основу микроэлектроники, был изготовлен позже биполярного транзистора в 1960 году. И только в 90-х годах XX века во времена лавинного развития компьютерной техники, МОП-технология получила массовое распространение и стала доминировать над биполярной.

Так только в 1947 году Уильям Шокли, Джон Барди и Уолтер Браттейн в лабораториях компании Bell Labs впервые создали действующий биполярный транзистор, который был продемонстрирован 16 декабря того же года. 23 декабря состоялась официальная церемония демонстрации транзистора в действии, и эта дата считается днем изобретения транзистора.

Первоначально название «транзистор» относилось к резисторам, управляемым напряжением, схематически транзистор можно представить именно в таком виде, как некое сопротивление, регулируемое напряжением на одном электроде (в полевых транзисторах – напряжение между затвором и истоком, в биполярных – напряжение между базой и эмиттером).

Транзистор:
структура, основные понятия и принципы работы

Транзистор – полупроводниковый электронный элемент, как правило, с тремя выводами, позволяющий входным сигналом управлять током в электрической цепи.

Биполярный транзистор

Управление токов в выходной цепи осуществляется за счет изменения входного напряжения или тока. Небольшое изменение входных величин может приводить к существенно большему изменению выходного напряжения и тока. Такое свойство усиливать сигналы широко используется в аналоговой технике. На схеме наглядно показан принцип усиления сигнала в транзисторе, основанный на вольтамперной характеристике (ВАХ) транзистора, и чем круче ВАХ, тем больше коэффициент усиления.

MOSFET транзистор

В настоящее время на рынке аналоговой техники доминируют биполярные транзисторы (международный термин биполярного транзистора – bipolar junction transistor (BJT)). В другой важнейшей отрасли электроники – цифровой технике (логика, память, микроконтроллеры, цифровая связь и тп.) биполярные транзисторы практически полностью вытеснены полевыми транзисторами.

С момента изобретения первого транзистора быстрое развитие технологий позволило создать более совершенные и производительные и в тоже время экономичные и энергосберегающие элементы. В рамках интегральной технологии транзисторы изготавливаются на одном кристалле для изготовления микросхем памяти, микроконтроллеров, микросхем логики и др. Размеры современных MOSFET транзисторов составляют 100-30 нм. При современной степени интеграции на одном чипе (размером 1-2 кв. см) размешаются несколько миллиардов транзисторов.

NXP Semiconductors на рынке MOSFET транзисторов

Технология TrenchMOS

Мощные MOSFET транзисторы традиционно выпускались по планарной технологии. В конце 1990-х годов компания NXP вывела на рынок транзисторы, изготовленные по новой технологии, так называемой траншейной ( TrenchMOS ) обеспечивающей чрезвычайно низкое сопротивление открытого канала исток-сток.
На рисунке показана структура развития технологии Trench MOS NXP:

Развитие этой технологии позволило увеличить компактность кристалла и снизить сопротивление открытого канала RDS( ON ) (потери в канале) в несколько раз, а так же снизить стоимость таких транзисторов.

Противоречивые требования к MOSFET транзисторам, с одной стороны минимальное сопротивление открытого канала RDS( ON ), с другой стороны минимальный заряд затвора QG, прежде всего, приводили разработчиков электроники к необходимости выбора различных марок транзисторов для работы в тех или иных каскадах. К тому же возникала потребность выбора оптимального соотношения занимаемой площади и рассеиваемой мощности транзисторов. По мере совершенствования технологий производства MOSFET транзисторов производители предлагали различные варианты построения корпусов.

Эффективность MOSFET транзисторов основана не только на технологии получения кристалла, но и на корпусе в который данный кристалл установлен. Наиболее эффективными корпусами для MOSFET транзисторов признаны корпуса, предназначенные для SMD (поверхностного) монтажа, которые обеспечивают максимальную удельную мощность рассеяния. Совокупность совершенствования технологии получения кристаллов и компактность корпусов MOSFET транзисторов предоставляют производителям достаточно широкое поле для разработок.

На рисунке показаны результаты терфографии MOSFET транзисторов в корпусах SO8, DPAK и LFPAK:

Данные измерения были проведены при прочих равных условиях, рассеиваемая мощность на поверхности корпусов примерно 1Вт. Исключительные термические свойства корпуса LFPAK наилучшим образом влияют на производительность MOSFET транзисторов, и в ряде случаев это позволяет применить разработчикам два транзистора в корпусе LFPAK вместо трех транзисторов в корпусе SO8.

Компания NXP является одной из ведущих фирм в производстве электроники для автомобильных приложении. В портфолио компании для автомобильной электроники можно найти CAN, LIN, FlexRay трансиверы, и контроллеры, MOSFET транзисторы, автомобильные датчики (магниторезистивные, температурные), мультимедийные микросхемы, микросхемы-корректоры фар, защитные (TVS) диоды.

Расширяя портфолио MOSFET транзисторов для автомобильных применений, компания NXP разработала семейство MOSFET транзисторов TrenchPLUS с дополнительными функциями защиты и измерения температуры. Транзисторы семейства TrenchPLUS были разработаны и квалифицированны к соответствующему стандарту AEC для использования в особо важных системах автомобиля, например: тормозные системы (ABS), системы управления (ЭМУР).

На рисунке показана функциональная блок-схема устройства транзисторов семейства TrenchPLUS:

Наличие встроенного датчика тока в силовом MOSFET транзисторе позволяет эффективно защищать выходные цепи устройств от перегрузок по току и коротких замыканий. При таком построении транзистора повышается надежность прибора и снижается его стоимость, т.к. отпадает необходимость в использовании навесных элементов.

MOSFET транзисторы NXP, изготовленные по технологии TrenchMOS, представляют собой матрицу из нескольких тысяч полевых транзисторов с изолированным затвором, размещенных на одном кристалле, каналы которых соединены параллельно. Поскольку все транзисторы матрицы идентичны, протекающий ток, а значит и тепловая энергия, равномерно распределяются по всему кристаллу. К тому же параллельное соединение позволяет уменьшить сопротивление открытого канала.

Кроме того, такая конфигурация позволяет изолировать соединенные истоки нескольких ячеек и вывести их с кристалла отдельным выводом. Такой прибор может быть представлен в виде двух MOSFET транзисторов с объединенным стоком, затвором и раздельными истоками (рис.8). В случае открытого канала ток нагрузки будет распределяться в отношении, пропорциональном сопротивлению каналов. Ток истока датчика тока значительно меньше тока истока основного силового транзистора. При этом токи пропорциональны площадям, занимаемым элементами на кристалле, и их отношение обычно составляет n =500:1 (отношение тока истока основного транзистора к току истока датчика тока). Это отношение называется «sense ratio», и оно определено для случая, когда потенциалы истоков датчика тока и основного силового транзистора равны. Дополнительный отвод от области истока основного силового транзистора (отвод Кельвина) позволяет передать в анализирующую цепь точное значение потенциала.

MOSFET транзисторы NXP

P/N	Корпус	Тип канала	V DS, В	R DSon (V GS =10В), мОм	R DSon (V GS =4,5В), мОм	I D, А	P tot макс, Вт
PMN28UN	SC-74	N	12	34	5,7	1,75
BSH205	SOT23	P	-12	400	-0,75	0,417
BSH207	SC-74	P	-12	120	-1,52	0,417
PHK04P02T	SO8	P	-16	120	-4,66	5
PMV31XN	SOT23	N	20	37	5,9	2
PH3120L	LFPAK	N	20	2,65	3,7	100	62,5
PHKD6N02LT	SO8	N	20	10,9	4,17
PHD38N02LT	DPAK	N	20	44,7	57,6
PMV65XP	SOT23	P	-20	76	-3,9	1,92
PMK50XP	SO8	P	-20	50	-7,9	5
PHP78NQ03LT	TO-220AB	N	25	9	75	93
PH2925U	LFPAK	N	25	3	100	62,5
PHU97NQ03LT	IPAK	N	25	6,6	75	107
PHD108NQ03LT	DPAK	N	25	6	75	187
PSMN1R2-25YL	LFPAK2	N	25	1,2	1,85	100	121
PHB66NQ03LT	D2PAK	N	25	10,5	66	93
PHN210T	SO8	N	30	100	200	3,4
PSMN4R3-30PL	TO-220AB	N	30	4,3	6,2	100	103
SI2304DS	SOT23	N	30	117	190	1,7	0,83
PH6030L	LFPAK	N	30	6	9,7	76,7	62,5
BUK9213-30A	DPAK	N	30	11	14,4	75	150
PMV40UN	SOT23	N	30	47	4,9	1,9
BUK762R7-30B	D2PAK	N	30	2,7	75	300
BUK7E2R7-30B	I2PAK	N	30	2,7	75	300
PHU101NQ03LT	IPAK	N	30	5,5	75	166
PSMN1R3-30YL	LFPAK2	N	30	1,3	1,95	100	121
BUK7607-30B	D2PAK	N	30	7	157
PMK35EP	SO8	P	-30	19	-14,9	6,9
BSH203	SOT23	P	-30	900	-0,47	0,417
PSMN004-36B	D2PAK	N	36	4	75	230
BUK7905-40ATE	TO-220-5	N	40	5	75	272
PSMN4R0-40YS	LFPAK	N	40	4,2	100	106
BUK9609-40B	D2PAK	N	40	7	75	157
BUK9209-40B	DPAK	N	40	7	75	167
BUK752R3-40C	TO-220AB	N	40	2,3	100	333
BUK7E2R3-40C	I2PAK	N	40	2,3	100	333
BSN20	SOT23	N	50	15000	0,173	0,83
BSS84	SOT23	P	-50	10000	-0,13	0,25
OC1005	TO-220AB	N	55	7,1	75
BUK7107-55ATE	D2PAK	N	55	7	75	272
PSMN005-55P	TO-220AB	N	55	5,8	75	230
PH1955L	LFPAK	N	55	17,3	21	40	75
BUK7237-55A	DPAK	N	55	37	32,3	77
BSH111	SOT23	N	55	4000	0,335	0,83
BUK9MGP-55PTS	SO20	N	55	22,6	27,9	10,7	3,9
BUK7E11-55B	I2PAK	N	55	11	75	157
PHB32N06LT	D2PAK	N	60	43	34	97
PHP32N06LT	TO-220AB	N	60	43	34	97
BSH112	SOT23	N	60	5000	5300	0,3	0,83
PMF3800SN	SC-70	N	60	4500	5300	0,26	0,56
PSMN004-60B	D2PAK	N	60	3,6	75	230
PMR780SN	SC-75	N	60	920	1400	0,55	0,53
2N7002	SOT23	N	60	5000	5300	0,3	0,83
PHD3055E	DPAK	N	60	150	10,3	33
PMZ760SN	SC-101	N	60	900	1600	1,22	2,5
BSH201	SOT23	P	-60	2500	3750	-0,3	0,417
PHB160NQ08T	D2PAK	N	75	5,6	75	300
BUK9516-75B	TO-220AB	N	75	14	67	157
BUK7909-75ATE	TO-220-5	N	75	9	75	272
PH3075L	LFPAK	N	75	28	34	30	75
BUK7E4R3-75C	I2PAK	N	75	4,3	100	333
BUK9217-75B	DPAK	N	75	15	64	167
PSMN012-80PS	TO-220AB	N	80	11	74	148
PSMN013-80YS	LFPAK	N	80	12,9	60	106
BSP110	SC-73	N	100	0,52	6,25
BUK7510-100B	TO-220AB	N	100	10	75	300
BUK9Y53-100B	LFPAK	N	100	49	23	75
PHKD3NQ10T	SO8	N	100	90	3	2
BSH114	SOT23	N	100	500	0,85	0,83
PSMN015-100B	D2PAK	N	100	15	75	300
PSMN025-100D	DPAK	N	100	25	47	150
PSMN7R0-100ES	I2PAK	N	100	6,8	100	269
PHP45NQ11T	TO-220AB	N	105	25	47	150
PSMN015-110P	TO-220AB	N	110	15	75	300
PHP27NQ11T	TO-220AB	N	110	50	27,6	107
PSMN063-150D	DPAK	N	150	63	29	150
PHP28NQ15T	TO-220AB	N	150	65	28,5	150
PHB45NQ15T	D2PAK	N	150	42	45,1	230
PHK5NQ15T	SO8	N	150	75	5	6,25
PSMN059-150Y	LFPAK	N	150	59	43	113
PHP20NQ20T	TO-220AB	N	200	130	20	150
PSMN102-200Y	LFPAK	N	200	102	21,5	113
BSS87	MPT3; UPAK	N	200	3000	0,4	1
PSMN165-200K	SO8	N	200	165	2,9	3,5
PML260SN	HVSON8	N	200	294	8,8	50
PSMN130-200D	DPAK	N	200	130	20	150
PSMN057-200P	TO-220AB	N	200	57	39	250
BSP220	SC-73	P	-200	12000	-0,225	1,5
PML340SN	HVSON8	N	220	386	7,3	50
BSP89	SC-73	N	240	5000	7500	0,375	1,5
BSS192	MPT3; UPAK	P	-240	12000	-0,2	1
BSP126	SC-73	N	250	5000	0,375	1,5
BSP225	SC-73	P	-250	15000	-0,225	1,5
BSP130	SC-73	N	300	6000	0,35	1,5
PHC2300	SO8	N/P	300	6000	-0,235	1,6
BSP230	SC-73	P	-300	17000	-0,21	1,5

Применение MOSFET-транзисторов

MOSFET транзистор универсальный прибор и области его применения практически не ограничены:

Рассмотрим некоторые варианты схемы применения MOSFET транзисторов.

На рисунке показана типовая блок-схема применения MOSFET транзисторов в антиблокировочной автомобильной системе (ABS) и электронной системе контроля устойчивости автомобиля (ESP):

На следующем рисунке показана блок-схема блока управления приводом электромотора стояночного тормоза автомобиля построенном на MOSFET транзисторах:

Далее показано, как можно с помощью MOSFET транзисторов NXP организовать гибридную схему подключения блока управления стартером генератора:

На следующем рисунке показана блок-схема управления бесщеточным трехфазным электромотором с защитой от переполюсовки:

На следующем рисунке показана еще одна простейшая блок-схема управления электромотором. В отличие от предыдущих схем, данная схема предназначена для управления высокоскоростным электромотором постоянного тока.

В заключение рассмотрим блок-схему впрыска для типового дизельного автомобильного двигателя, построенного на MOSFET транзисторах:

На основании рассмотренных преимуществ MOSFET транзисторов производства компании NXP Semiconductors можно сделать выводы, что, в сравнении с продукцией других производителей, они наиболее эффективны для использования в различных силовых системах электроники, и наиболее пригодны для использования в особо важных системах безопасности автомобильного и железнодорожного транспорта. А в совокупности с магниторезистивными датчиками компании NXP можно организовать максимально производительные и эффективные системы.

Источник